推进共同创造与协同合作，应对多样化的需求，不断创造新价值。
除了跨集团的全球网络外，京瓷还将积极推进M&A与开放式创新活动。
我们将永做开拓者，一直站在市场前端不断创造新价值。
凭借先进技术为解决各种社会课题做出贡献
光电集成模块“OPTINITY”
现在，随着AI和DX的普及,数据中心和网络设备对通信能力的要求也在急剧提高，为了能以低功耗实现高速、大容量通信，将数据传输由传统的电信号转换为光信号的技术备受关注。京瓷应用自有的电路板技术和光相关技术，正在推进将电信号转换为光信号进行数据传输的“板上型光电集成模块”的研发。通过将从CPU等输出的电信号在早期阶段转换为光信号，减少信号损耗，并在全球范围内率先实现了符合PCIe 5.0标准的512Gbps传输带宽※1。由此，为数据中心和网络设备的高速化和节电化作出贡献，并有助于构建下一代数字基础设施。 ※ 在支持扩展接口标准PCle Gen5的产品中（截至2022年9月京瓷的调查）
micro-LED / micro-激光用特有基板
我们通过自有技术，实现了在低成本的Si（硅）基板上形成拥有三维结构且缺陷密度低的高品质GaN※1层（独有的EGOS※2基板）。
应用该技术，可从基板上无损剥离micro-LED等微光源※3，实现低缺陷、低成本的制造。这些微光源有望应用于AI数据中心内的光通信模块、下一代车载显示屏及智能眼镜等。
※2 EGOS：Epitaxial lateral overgrowth GaN On Substrate
※3 微光源：器件一边为100um（微米）以下的光源
主要研究开发设施
京瓷的核心研究开发基地，除了研究开发集团内的材料、零部件、元件、设备及系统、软件外，还构建了生产流程技术相关的全球研究网络。
京瓷港未来研究中心
（日本神奈川县横滨市）
京瓷京阪奈研究中心
（日本京都府相乐郡）
雾岛R&D中心
（日本鹿儿岛县雾岛市）
KYOCERA SLD Laser, Inc.内
Santa Barbara Innovation Center
（美国加利福尼亚州）
※开发GaN（氮化镓）制元件